GC2M0080120D
SiC MOSFET: GC2M0080120D (SUPSiC) — напруга стік-витік 1.2 кВ, струм стоку 36 А, RDS(on) 80 мОм при 20 В, корпус TO247-3.
- Виробник
- SUPSiC
- Корпус
- TO247-3
- Категорія
- SiC MOSFET
- Напруга стік-витік
- 1.2 кВ
- Струм стоку
- 36 А
- RDS(on)
- 80 мОм при 20 В
- Порогова напруга затвора
- 2.9 В
- Розсіювана потужність
- 192 Вт
- Заряд затвора
- 71nC
Ціна: за запитом
Даташит GC2M0080120D (зовнішній пошук). Перед замовленням звіряйте параметри з даташитом.