IMZA65R027M1H
SiC MOSFET: IMZA65R027M1H (Infineon Technologies) — напруга стік-витік 650 В, струм стоку 59 А, RDS(on) 34 мОм, корпус TO-247-4.
- Виробник
- Infineon Technologies
- Корпус
- TO-247-4
- Категорія
- SiC MOSFET
- Напруга стік-витік
- 650 В
- Струм стоку
- 59 А
- RDS(on)
- 34 мОм
- Порогова напруга затвора
- 5.7 В
- Розсіювана потужність
- 189 Вт
- Заряд затвора
- 63nC
Ціна: за запитом
Даташит IMZA65R027M1H (зовнішній пошук). Перед замовленням звіряйте параметри з даташитом.