SiC MOSFET

Part number	Виробник	Корпус	Опис
IMZA65R027M1H Infineon TechnologiesSiC MOSFET	Infineon Technologies	TO-247-4	Напруга стік-витік: 650 В Струм стоку: 59 А RDS(on): 34 мОм
IMZA65R048M1H Infineon TechnologiesSiC MOSFET	Infineon Technologies	TO-247-4	Напруга стік-витік: 650 В Струм стоку: 39 А RDS(on): 48 мОм при 18 В
IMW120R030M1H Infineon TechnologiesSiC MOSFET	Infineon Technologies	TO-247-3	Напруга стік-витік: 1.2 кВ Струм стоку: 56 А RDS(on): 30 мОм при 18 В
IMW65R072M1H Infineon TechnologiesSiC MOSFET	Infineon Technologies	TO-247-3	Напруга стік-витік: 650 В Струм стоку: 26 А RDS(on): 94 мОм
IMW120R060M1H Infineon TechnologiesSiC MOSFET	Infineon Technologies	TO-247-3	Напруга стік-витік: 1.2 кВ Струм стоку: 36 А RDS(on): 60 мОм
NVH4L040N120M3S onsemiSiC MOSFET	onsemi	TO-247-4L	Напруга стік-витік: 1.2 кВ Струм стоку: 54 А RDS(on): 54 мОм
BCL120N160W1 BestirpowerSiC MOSFET	Bestirpower	DFN-8	Напруга стік-витік: 1.2 кВ Струм стоку: 22 А RDS(on): 160 мОм
S1M075120J2 SichainsemiSiC MOSFET	Sichainsemi	TO-263-7L	Напруга стік-витік: 1.2 кВ Струм стоку: 39 А RDS(on): 75 мОм при 15 В
S1M040120H SichainsemiSiC MOSFET	Sichainsemi	TO-247-4L	Напруга стік-витік: 1.2 кВ Струм стоку: 76 А RDS(on): 32 мОм при 18 В
BCW65N45M1 BestirpowerSiC MOSFET	Bestirpower	TO-247	Напруга стік-витік: 650 В Струм стоку: 42 А RDS(on): 45 мОм
GC3N150PF SUPSiCSiC MOSFET	SUPSiC	TO-3PF	Напруга стік-витік: 1.5 кВ Струм стоку: 3.7 А RDS(on): 1.2 Ом
GC2M1000170D SUPSiCSiC MOSFET	SUPSiC	TO247-3	Напруга стік-витік: 1.7 кВ Струм стоку: 5 А RDS(on): 800 мОм при 20 В
GC2M0040120D SUPSiCSiC MOSFET	SUPSiC	TO-247-3	Напруга стік-витік: 1.2 кВ Струм стоку: 55 А RDS(on): 80 мОм при 20 В
GC2M0080120D SUPSiCSiC MOSFET	SUPSiC	TO247-3	Напруга стік-витік: 1.2 кВ Струм стоку: 36 А RDS(on): 80 мОм при 20 В
SP25N120CTK SiliupSiC MOSFET	Siliup	TO-247-4L	Напруга стік-витік: 1.2 кВ Струм стоку: 52 А RDS(on): 60 мОм при 18 В